漢磊G4平台如何提升公司在太陽能逆變器、儲能系統及電動車功率模組等高成長應用領域的市場競爭力？

漢磊G4平台對高成長應用領域競爭力的提升

漢磊（3707）推出的第四代平面型MOSFET技術平台（G4製程平台）通過縮小晶片面積和改善導通電阻，顯著提升了功率密度與整體效能，使其在太陽能逆變器、儲能系統及電動車功率模組等高成長應用領域中更具市場競爭力。G4平台效能已達國際IDM大廠水準，有助於客戶在效能與成本間取得最佳平衡。

技術升級的具體優勢

相較於2024年推出的G3平台，漢磊的G4平台晶片面積縮小約20%，導通電阻改善約20%，且已完成完整客戶可靠度驗證。這些技術升級不僅提升了產品的功率密度，也使其在高效電源管理方面更具優勢。總經理劉燦文表示，此平台有助於漢磊在市場上取得更大優勢，並搶占下世代化合物半導體市場的先機。

市場反應與未來發展

漢磊宣布新技術平台後，市場反應熱烈，股價連續兩日漲停。法人機構對漢磊的未來表現持樂觀態度，認為隨著市況回溫及先進製程的導入，漢磊下半年營運可望逐步回升。展望未來，漢磊在全球化合物半導體市場具備競爭優勢，尤其在GaN與SiC代工能力上，這將有助於其在高成長應用領域中保持競爭力。