CoWoS-L 相較於 CoWoS-S，在 HBM 堆疊上有何顯著提升？

CoWoS-L 相較於 CoWoS-S 在 HBM 堆疊上的顯著提升

CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）是台積電的 2.5D 先進封裝技術，主要區分為晶片堆疊（CoW）和基板封裝（WoS）兩部分。其中，CoWoS-S 和 CoWoS-L 的主要差異在於中介層的材料以及可封裝的 HBM（高頻寬記憶體）數量。

HBM 堆疊能力的提升

相較於 CoWoS-S，CoWoS-L 的一個顯著提升在於其能夠堆疊的 HBM 數量。CoWoS-L 技術允許堆疊多達 12 顆 HBM3，而 CoWoS-S 的 HBM 堆疊數量較少。這種 HBM 堆疊能力的提升，直接增加了記憶體容量和頻寬，對於需要大量記憶體資源的人工智慧（AI）和高效能運算（HPC）應用至關重要。

成本與效能優勢

除了 HBM 堆疊能力的提升外，CoWoS-L 還具有成本優勢。CoWoS-L 透過在矽中介層中加入主動元件 LSI，不僅提升了晶片設計的靈活性，還能降低生產成本，使其比 CoWoS-S 更具成本效益。因此，CoWoS-L 在效能和成本之間取得了更好的平衡，有望成為未來 AI 晶片的主流選擇。